先進(jìn)制程和傳統(tǒng)成熟制程實(shí)際并沒有明確的界定標(biāo)準(zhǔn)，這是隨著制程工藝發(fā)展不斷變化的過程。但從制程工藝的發(fā)展情況來看，一般是以28nm為分水嶺，來區(qū)分先進(jìn)制程和傳統(tǒng)制程。

▲圖源：IT之家

半導(dǎo)體工藝發(fā)展則出現(xiàn)了兩個(gè)方向，一個(gè)是繼續(xù)追求先進(jìn)制程小型化，比如臺(tái)積電、三星、英特爾、中芯國(guó)際，另一個(gè)是聚焦特色工藝滿足多樣化需求，比如華虹半導(dǎo)體、聯(lián)電、格羅方德、世界先進(jìn)等。

當(dāng)下的半導(dǎo)體先進(jìn)制程領(lǐng)域中，三星、英特爾、臺(tái)積電三足鼎立，各有千秋。

三星和臺(tái)積電分別從14nm和16nm制程節(jié)點(diǎn)時(shí)期引入FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，一直沿用到目前最先進(jìn)的5nm制程。在競(jìng)爭(zhēng)激烈的3納米制程工藝方面，三星和臺(tái)積電的技術(shù)路線并不相同，三星首先采用全環(huán)繞柵極晶體管（GAA），臺(tái)積電則是繼續(xù)采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）架構(gòu)。

英特爾的應(yīng)變硅技術(shù)、HKMG技術(shù)以及3D FinFET技術(shù)，對(duì)于全球半導(dǎo)體行業(yè)來說都具有著里程碑似的意義。但是從14nm FinFET工藝開始就開始逐漸減速，尤其是在10nm制程工藝期間，耽誤了太長(zhǎng)時(shí)間。

而國(guó)產(chǎn)企業(yè)中芯國(guó)際在2019年突破了14nm的技術(shù)，仍將在未來先進(jìn)制程中角逐。

在先進(jìn)制程的布局方面，還需要其他技術(shù)支持和設(shè)備支持。因?yàn)殡S著頻率的提升,處理器所產(chǎn)生的熱量也會(huì)提高,先進(jìn)的蝕刻技術(shù)可以減小晶體管間電阻,讓CPU所需的電壓降低,從而使功率大幅度減小。而蝕刻工藝——極紫外光刻(EUV),用更小更鋒利的“刻刀”來切割出更小的電晶體結(jié)構(gòu)。

關(guān)鍵設(shè)備在先進(jìn)制程上仍未實(shí)現(xiàn)突破。目前世界集成電路設(shè)備研發(fā)水平處于12 英寸7nm，生產(chǎn)水平則已經(jīng)達(dá)到12 英寸14nm；而中國(guó)設(shè)備研發(fā)水平還處于12 英寸14nm，生產(chǎn)水平為12 英寸65-28nm，總的來看國(guó)產(chǎn)設(shè)備在先進(jìn)制程上與國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平有2-6 年時(shí)間差；具體來看65/55/40/28nm光刻機(jī)、40/28nm 的化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)國(guó)產(chǎn)化率依然為0，28nm化學(xué)氣相沉積設(shè)備、快速退火設(shè)備、國(guó)產(chǎn)化率很低。

以光刻機(jī)為例，ASML是全球唯一有能力制造EUV光刻機(jī)的廠商，而面向3nm及更先進(jìn)的工藝，晶圓廠將需要一種稱為高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV的新技術(shù)，據(jù)ASML年報(bào)披露，正在研發(fā)的下一代采用high-NA技術(shù)光刻機(jī)要等到2024年才能量產(chǎn)。我國(guó)最先進(jìn)的光刻機(jī)是上海微電子裝備的光刻機(jī)，最高可制造90納米工藝的芯片。我國(guó)尚未有具備28納米制程能力的光刻機(jī)，主要在于精密光學(xué)器件的落后，目前，長(zhǎng)春光機(jī)所，茂萊光學(xué)都在光源領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)研發(fā)及探索。一旦光刻機(jī)被美國(guó)封禁，國(guó)內(nèi)的芯片制造公司將失去14納米、28納米等工藝制備能力。

▲ 半導(dǎo)體設(shè)備公司掌握先進(jìn)制程情況  來源：道科創(chuàng)

隨著先進(jìn)節(jié)點(diǎn)走向10nm、7nm、5nm，研發(fā)生產(chǎn)成本持續(xù)走高，良率下降，摩爾定律趨緩，半導(dǎo)體行業(yè)逐漸步入后摩爾時(shí)代。目前封測(cè)行業(yè)正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)封裝（SOT、QFN、BGA等）向先進(jìn)封裝（FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SiP、3D堆疊等）的轉(zhuǎn)型。

▲圖源：拓璞產(chǎn)業(yè)研究院

先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)封裝以是否焊線來區(qū)分，先進(jìn)封裝主要有倒裝芯片(FC)結(jié)構(gòu)的封裝、晶圓級(jí)封裝(WLP)、2.5D封裝、3D封裝等。分為兩個(gè)方向——

小型化：3D封裝突破傳統(tǒng)的平面封裝的概念，通過單個(gè)封裝體內(nèi)多次堆疊，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)容量的倍增，進(jìn)而提高芯片面積與封裝面積的比值。

高集成：系統(tǒng)級(jí)封裝SiP能將數(shù)字和非數(shù)字功能、硅和非硅材料、CMOS和非CMOS電路以及光電、MEMS、生物芯片等器件集成在一個(gè)封裝內(nèi)，在不單純依賴半導(dǎo)體工藝縮小的情況下，提高集成度，以實(shí)現(xiàn)終端電子產(chǎn)品的輕薄短小、低功耗等功能，同時(shí)降低廠商成本。

先進(jìn)封裝技術(shù)不僅可以增加功能、提升產(chǎn)品價(jià)值，還有效降低成本，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵。作為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈不可缺少的一部分，半導(dǎo)體封測(cè)得益于對(duì)更高集成度的需求，隨著5G應(yīng)用、AI、IoT等新興領(lǐng)域的驅(qū)動(dòng)，市場(chǎng)規(guī)模快速擴(kuò)大。

我國(guó)封測(cè)行業(yè)整體仍然有望保持高增長(zhǎng)，仍然是一個(gè)處于不斷增長(zhǎng)中的增量市場(chǎng)。而且在5G、消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和高性能計(jì)算等更高集成度的廣泛需求下，先進(jìn)封裝是增量主要來源，先進(jìn)封裝市場(chǎng)增速預(yù)計(jì)將高于傳統(tǒng)封裝。

為進(jìn)一步提升集成電路系統(tǒng)性能、降低成本依賴、提升功能密度，SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）以及 Chiplet 等設(shè)計(jì)的進(jìn)步和發(fā)展，大大拓展了摩爾定律的演進(jìn)方式。而Tensun騰盛近年來在SiP先進(jìn)封裝領(lǐng)域深耕產(chǎn)品設(shè)備的開發(fā)和制程應(yīng)用，堅(jiān)持做好精密點(diǎn)膠和精密切割（劃片機(jī)）兩大產(chǎn)品線，與行業(yè)大咖們共同商討先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)動(dòng)態(tài)和應(yīng)用案例，騰盛人也將繼承十六年來的永不止步的創(chuàng)新精神，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域持續(xù)探索。