新一輪科技革命是以物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、區(qū)塊鏈等數(shù)字技術(shù)為主導(dǎo)。但代價(jià)是什么呢？是巨大的功耗，“開(kāi)一個(gè)超算中心能‘吃掉’半個(gè)核電站的電能”。

全球能源的消耗導(dǎo)致二氧化碳的排放量與日俱增，造成了全球氣候變暖等一系列變化，碳排放成為世界各國(guó)關(guān)注的焦點(diǎn)，我國(guó)也開(kāi)始關(guān)注碳排放帶來(lái)的不利影響，并逐漸將低碳與節(jié)能減排、環(huán)境保護(hù)結(jié)合起來(lái)。

為了人類可持續(xù)發(fā)展和推動(dòng)構(gòu)建人類命運(yùn)共同體的大國(guó)責(zé)任擔(dān)當(dāng)，我國(guó)的政策重點(diǎn)也開(kāi)始將“減碳”提升到了新的戰(zhàn)略高度，在十四五規(guī)劃正式提出“2030年前實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和”這個(gè)重大戰(zhàn)略目標(biāo)。

降低能耗才能減少碳排放。在低碳節(jié)能的時(shí)代，以能源綠色低碳發(fā)展為關(guān)鍵。風(fēng)口之下，新能源科技迎來(lái)了更多的發(fā)展機(jī)會(huì)。半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代科技的底層基礎(chǔ)與核心，所發(fā)揮的作用也不可忽視。

“雙碳”目標(biāo)對(duì)我國(guó)綠色低碳發(fā)展具有引領(lǐng)性、系統(tǒng)性，可以帶來(lái)環(huán)境質(zhì)量改善和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的多重效應(yīng)。

隨著碳中和的推進(jìn)，新能源產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始更多交匯點(diǎn)，采用性能上更優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，可以提升能源轉(zhuǎn)換效率，有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱。

那么第三代半導(dǎo)體材料，它在能源轉(zhuǎn)換里到底和以前第一代半導(dǎo)體有什么不同？第一代半導(dǎo)體就是現(xiàn)在常用的硅基材料，第三代半導(dǎo)體代表性的材料就是碳化硅和氮化鎵。硅基半導(dǎo)體有它自己的物理極限，大概是0.4Ω·m㎡，這是一個(gè)芯片面積和歐姆的乘積。目前，從架構(gòu)上，從可靠性方面，從性能的提升，硅基半導(dǎo)體基本上已經(jīng)接近了物理極限，而第三代半導(dǎo)體是能夠在有限提升的基礎(chǔ)上，再往前跨一步。

舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)，比如現(xiàn)在手機(jī)用的快充，功率有的已經(jīng)做到一百瓦以上。但如果要用以前的材料來(lái)做充電器，就會(huì)做得很大。現(xiàn)在用氮化鎵材料來(lái)做，就可以把體積做得小。它需要一些什么特性呢？就是它的開(kāi)關(guān)頻率可以非常高，這就是新材料在能源轉(zhuǎn)換里面的優(yōu)點(diǎn)。還有一個(gè)重點(diǎn)就是，第三代半導(dǎo)體材料由于其禁帶寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，導(dǎo)致它做出來(lái)的器件的寄生參數(shù)特別小，因此就能夠帶來(lái)上述那些好處。

△硅、氮化鎵和碳化硅的詳細(xì)比較 | 英凌飛

如此來(lái)看，在“碳中和”趨勢(shì)浪潮下，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)，相比硅器件可降低50%以上的能量損失，并減小75%以上的裝備體積，是助力社會(huì)節(jié)能減排并實(shí)現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。

第三代半導(dǎo)體正在成為市場(chǎng)焦點(diǎn)，多個(gè)下游產(chǎn)業(yè)集中爆發(fā)，40-50%的應(yīng)用市場(chǎng)將在中國(guó)，下游的爆發(fā)導(dǎo)致上游晶圓供不應(yīng)求；性能提升，成本下降即將形成產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品進(jìn)入高速導(dǎo)入期。

全球來(lái)看，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處在一個(gè)高速增長(zhǎng)的階段，在市場(chǎng)的關(guān)注熱潮之下，第三代半導(dǎo)體公司正處在抓住機(jī)會(huì)資本化的發(fā)展階段。我國(guó)在“十四五”規(guī)劃中，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。不僅如此，地方層面也在積極響應(yīng)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展號(hào)召，重點(diǎn)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，解決半導(dǎo)體行業(yè)“卡脖子”問(wèn)題，自主可控需求明確?，F(xiàn)階段國(guó)產(chǎn)替代空間巨大，尚未形成行業(yè)寡頭。

具體來(lái)說(shuō)，盡快實(shí)現(xiàn)高性能6英寸、8英寸碳化硅單晶襯底和外延材料及其功率器件的量產(chǎn)，6英寸、8英寸硅基氮化鎵外延材料及其功率器件的量產(chǎn)，高性能封裝的器件和模塊量產(chǎn)，單晶襯底生長(zhǎng)、加工、芯片工藝、封裝、測(cè)試等核心檢測(cè)儀器和裝備的國(guó)產(chǎn)化。

從芯片設(shè)計(jì)制造到封裝測(cè)試以及應(yīng)用等各環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)全壽命周期的低碳甚至零碳戰(zhàn)略，自主可控是第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的基石，也是全產(chǎn)業(yè)鏈落實(shí)雙碳戰(zhàn)略目標(biāo)的保障。

第三代半導(dǎo)體行業(yè)的高速發(fā)展對(duì)高質(zhì)量封裝工藝設(shè)備產(chǎn)品提出相應(yīng)的市場(chǎng)需求。騰盛精密憑借突出的技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，搶抓市場(chǎng)機(jī)遇，提供的點(diǎn)膠設(shè)備、劃片機(jī)（切割）以及不同行業(yè)領(lǐng)域的封裝解決方案受到市場(chǎng)和客戶的肯定，部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。未來(lái)將在更大的范圍內(nèi)進(jìn)行量產(chǎn)和擴(kuò)產(chǎn)，進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化、量產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化，達(dá)到經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益和環(huán)保效益的有機(jī)統(tǒng)一。

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聲明：本文部分內(nèi)容參考出處有：

1.「揭秘第三代半導(dǎo)體：市場(chǎng)規(guī)模百億，三大領(lǐng)域加速爆發(fā)！」，來(lái)源：OFweek維科號(hào)  作者：天風(fēng)研究

2.「第三代半導(dǎo)體推動(dòng)“雙碳”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)大有可為」，來(lái)源：科技日?qǐng)?bào)

3.「智庫(kù)視點(diǎn)｜中國(guó)提出“雙碳”目標(biāo)的歷史背景、重大意義和變革路徑」來(lái)源：新經(jīng)濟(jì)導(dǎo)刊 ，作者：高世楫 俞敏

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Tensun騰盛精密創(chuàng)立于2006年7月，一直專注于

精密點(diǎn)膠與精密切割（劃片）兩大產(chǎn)品線，

深耕于3C手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈、新型顯示及半導(dǎo)體封測(cè)三大行業(yè)。

Tensun騰盛自成立之初便十分注重核心技術(shù)的研發(fā)投入，

目前已經(jīng)掌握了精密點(diǎn)膠及精密切割（劃片）的核心技術(shù)，

成為具備核心模塊設(shè)計(jì)、整機(jī)及自動(dòng)化系統(tǒng)集成能力的

高科技型精密裝備企業(yè)。